MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

Das tatsächliche Produkt kann vom gezeigten Bild abweichen

Produktinfodermation

Categodery	Discrete Semiconductoder Products
FET Feature	Standard
Mounting Type	Chassis Mount
Family	FETs - Modules
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA
Series	POWER MOS 7
Package / Case	SP3
Supplier Device Package	SP3
Datasheets	APTM100VDA35T3G
Rds On (Max) @ Id, Vgs	420 mOhm @ 11A, 10V
FET Type	2 N-Channel (Dual)
Packaging	Bulk
Power - Max	390W
Standard Package	1
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 C	22A
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	5200pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	186nC @ 10V

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