X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET

Das tatsächliche Produkt kann vom gezeigten Bild abweichen

Produktinfodermation

Status	ACTIVE
Package Body Material	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Channel Type	N-CHANNEL
Terminal Foderm	FLAT
Operating Mode	DEPLETION
Package Style	FLANGE MOUNT
Drain Current-Max (ID)	7.5 A
Transistoder Application	AMPLIFIER
Highest Frequency Band	X BAND
Number of Elements	1
Case Connection	SOURCE
Transistoder Element Material	GALLIUM ARSENIDE
FET Technology	JUNCTION
Terminal Position	DUAL
Transistoder Type	RF POWER
Package Shape	RECTANGULAR
Configuration	SINGLE
Number of Terminals	2
Surface Mount	Yes

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