No Phototransistoder Chip Silicon 850nm 2-Pin T-1 3/4

Das tatsächliche Produkt kann vom gezeigten Bild abweichen

Produktinfodermation

Polarity	NPN
Collectoder Current (DC)	0.05(A)
Emitter-Collectoder Voltage (Max)	7(V)
Peak Wavelength	850(nm)
Collectoder-Emitter Voltage	70(V)
Mounting	Through Hole
Rad Hardened	No
Light Current	5400/8600(uA)
Operating Temperature Classification	Industrial
Power Dissipation	0.2(W)
Operating Temp Range	-40C to 100C
Package Type	T-1 3/4
Number of Elements	1
Dark Current	200(nA)
Phototransistoder Type	Phototransistoder
Rise Time	10000/12000(ns)
Collectoder-Emitter Sat Volt (max)	0.15(V)
Pin Count	2
Half-Intensity Angle	80(deg)
Fall Time	10000/12000(ns)

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