MOSFET N-CH 200V 1900A Y3-LI - VMO1600-02P

Das tatsächliche Produkt kann vom gezeigten Bild abweichen

Produktinfodermation

Mounting Type	Chassis Mount
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1900A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.65 mOhm @ 1600A, 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	-
Power - Max	-
Packaging	Tray
Gate Charge (Qg) @ Vgs	2900nC @ 10V
Package / Case	Y3-Li
FET Feature	Standard
Lead Free Status	Lead Free
RoHS Status	RoHS Compliant

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