IRF7807D1

Das tatsächliche Produkt kann vom gezeigten Bild abweichen

Produktinfodermation

FETKY CoPackaged HEXFET and Schottky
Package	SO-8
Circuit	Co-Pack
VBRDSS (V)	30
VGs Max (V)	12
RDS(on) Max 2.7V (mOhms)
RDS(on) Max 4.5V (mOhms)	25.0
RDS(on) Max 10V (mOhms)
ID @ TA = 25C (A)	8.3
ID @ TA = 70C (A)	6.6
Qg Typ (nC)
Qgd Typ (nC)	2.9
Rth(JC) (K/W)	50 (JA)
Power Dissipation @ TC = 25C (W)
Power Dissipation @ TA = 25C (W)	2.50
Schottky VF (V)	0.50
@ IF	1.0

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