3 A, 500 V, 2.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

Das tatsächliche Produkt kann vom gezeigten Bild abweichen

Produktinfodermation

Status	DISCONTINUED
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Channel Type	N-CHANNEL
Terminal Foderm	GULL WING
Operating Mode	ENHANCEMENT
Package Style	SMALL OUTLINE
Drain Current-Max (ID)	3 A
Transistoder Element Material	SILICON
Number of Elements	1
Case Connection	DRAIN
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Terminal Position	SINGLE
Transistoder Type	GENERAL PURPOSE POWER
Package Shape	RECTANGULAR
Configuration	SINGLE
Drain-source On Resistance-Max	2.3 ohm
Number of Terminals	2
DS Breakdown Voltage-Min	500 V
Surface Mount	Yes

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