Trans RF MOSFET N-CH 20V 0.03A 3-Pin 2-4E1D

Das tatsächliche Produkt kann vom gezeigten Bild abweichen

Produktinfodermation

Reverse Capacitance (Typ)	0.035@10V(pF)
Channel Mode	Depletion
Noise Figure (Max)	3(dB)
Continuous Drain Current	0.03(A)
Mounting	Through Hole
Foderward Transconductance (Typ)	0.01(S)
Rad Hardened	No
Channel Type	N
Input Capacitance (Typ)@Vds	3@10V(pF)
Operating Temp Range	-55C to 125C
Drain Source Voltage (Max)	20(V)
Power Gain (Typ)@Vds	28(dB)
Screening Level	Military
Application	VHF
Power Dissipation (Max)	200(mW)
Pin Count	3
Number of Elements	1

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