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VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET

Parte No .:
RD12MVS1-101
Gama de productos:
Transistos (BJT)

Infomación del Producto

Terminal FinishMATTE TIN
Terminal FomNO LEAD
Package ShapeRECTANGULAR
StatusACTIVE
Lead FreeYes
Package Body MaterialUNSPECIFIED
Transisto Element MaterialSILICON
Drain Current-Max (ID)4 A
EU RoHS CompliantYes
ConfigurationSINGLE
Transisto TypeRF POWER
Channel TypeN-CHANNEL
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
DS Breakdown Voltage-Min50 V
Transisto ApplicationAMPLIFIER
Surface MountYes
Case ConnectionSOURCE
Mfr Package DescriptionROHS COMPLIANT PACKAGE-3
Operating ModeENHANCEMENT
Number of Terminals3
Highest Frequency BandVERY HIGH FREQUENCY BAND
Terminal PositionQUAD
Number of Elements1
Package StyleCHIP CARRIER


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