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MOSFET 100V 90A E-Mode GaN Preproduction Units

Parte No .:
GS61008P-E04-TY
Fabricante:

Infomación del Producto

Mounting StyleSMD/SMT
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage100 V
Transisto PolarityN-Channel
Rds On - Drain-Source Resistance7.4 mOhms
Channel ModeEnhancement
BrandGaN Systems
Id - Continuous Drain Current90 A
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage1.6 V
PackagingTray
Product CategoyMOSFET
Qg - Gate Charge16 nC
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage+/- 10 V
RoHSDetails
ManufacturerGaN Systems


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