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Casa Semiconductoes - CI Memoy 1M X 36 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165

1M X 36 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165

1M X 36 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165

El producto real puede diferir de la imagen mostrada

Parte No .:: U757C-200M3I
Fabricante:: ISSI
Gama de productos:: Memoy
Ficha de datos:: U757C-200M3I

Infomación del Producto

Terminal Finish	TIN LEAD
Terminal Pitch	1 mm
Terminal Fom	BALL
Operating Temperature-Max	85 Cel
Number of Wods Code	1M
Supply Voltage-Nom (Vsup)	1.8 V
Temperature Grade	INDUSTRIAL
Package Shape	RECTANGULAR
Status	ACTIVE
Operating Temperature-Min	-40 Cel
Number of Wods	1.05E6 wods
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Number of Functions	1
Access Time-Max (tACC)	0.4500 ns
Memoy Density	3.77E7 deg
Supply Voltage-Max (Vsup)	1.89 V
Supply Voltage-Min (Vsup)	1.71 V
Organization	1M X 36
Memoy Width	36
Surface Mount	Yes
Parallel/Serial	PARALLEL
Mfr Package Description	15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
Operating Mode	SYNCHRONOUS
Number of Terminals	165
Terminal Position	BOTTOM
Technology	CMOS
Package Style	GRID ARRAY, LOW PROFILE
Memoy IC Type	DDR SRAM

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