Todas

SIGN IN o REGISTER

Tu carrito esta vacío

Casa Semiconductoes - CI Memoy 128M X 4 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66

128M X 4 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66

128M X 4 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66

El producto real puede diferir de la imagen mostrada

Parte No .:: NT5DS128M4BT-6K
Fabricante:: Nanya
Gama de productos:: Memoy
Ficha de datos:: NT5DS128M4BT-6K

Infomación del Producto

Terminal Finish	NOT SPECIFIED
Terminal Pitch	0.6500 mm
Access Mode	FOUR BANK PAGE BURST
Terminal Fom	GULL WING
Operating Temperature-Max	70 Cel
Number of Wods Code	128M
Supply Voltage-Nom (Vsup)	2.5 V
Temperature Grade	COMMERCIAL
Package Shape	RECTANGULAR
Status	ACTIVE
Operating Temperature-Min	0.0 Cel
Number of Wods	1.34E8 wods
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Number of Functions	1
Memoy Density	5.37E8 deg
Supply Voltage-Max (Vsup)	2.7 V
Number of Pots	1
Supply Voltage-Min (Vsup)	2.3 V
Organization	128M X 4
Memoy Width	4
Surface Mount	Yes
Mfr Package Description	0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66
Operating Mode	SYNCHRONOUS
Number of Terminals	66
Terminal Position	DUAL
Access Time-Max (tRAC)	0.7000 ns
Technology	CMOS
Package Style	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Memoy IC Type	DDR DRAM

Precio objetivo

Ofrezca su precio aceptable y podemos satisfacerlo.Tu precio deseado

Sopote técnico

Sopote técnico

Valoación de los clientes

Escribir un comentario

Intercambio de preguntas y respuestas del cliente

Hacer una pregunta