Transistous RF MOSFET Power .5-2GHz 30W 28Volts LDMOS

Le produit réel peut différer de l'image présentée

Infoumation produit

Configuration	Single
Transistou Polarity	N-Channel
Frequency	0.5 GHz to 2 GHz
Gain	10 dB
Output Power	30 W
Drain-Source Breakdown Voltage	65 V
Continuous Drain Current	4.25 A
Gate-Source Breakdown Voltage	15 V
Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Package / Case	PowerBand
Packaging	Tray
Fouward Transconductance gFS (Max / Min)	3 S
Mounting Style	SMD/SMT
Power Dissipation	135 W

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