Photodiodes Si APD Enhanced fou 905nm 500um Area

Le produit réel peut différer de l'image présentée

Infoumation produit

Type	NIR Enhanced Response Avalanche Photodiode
Photodiode Material	Silicon
Peak Wavelength	905 nm
Half Intensity Angle Degrees	108 deg
Maximum Dark Current	5 nA
Package / Case	TO-52-S1
Light Current	1 uA
Maximum Operating Temperature	+ 100 C
Minimum Operating Temperature	- 40 C
Mounting Style	Through Hole
Packaging	Bulk
Power Dissipation	100 mW
Product	Avalanche Photodiode
Reverse Voltage	160 V
Rise Time	550 ps
Sensitivity	60 A/W
Factouy Pack Quantité	50

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