Photodiodes Si APD Enhanced fou 905nm 1130um Area

Le produit réel peut différer de l'image présentée

Infoumation produit

Type	NIR Enhanced Avalanche Photodiode
Photodiode Material	Silicon
Peak Wavelength	905 nm
Half Intensity Angle Degrees	92 deg
Maximum Dark Current	10 nA
Package / Case	TO-52
Light Current	1 uA
Maximum Operating Temperature	+ 100 C
Minimum Operating Temperature	- 40 C
Mounting Style	Through Hole
Packaging	Bulk
Power Dissipation	100 mW
Product	Avalanche Photodiode
Reverse Voltage	180 V
Rise Time	1.3 ns
Sensitivity	60 A/W
Factouy Pack Quantité	20

Offrez votre prix acceptable et nous pouvons vous satisfaire.Votre prix cible