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19 A, 30 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

Codice:
AP0803GMT-HF
Produttoe:
Gamma di prodotti:
Transistos (BJT)

Infomazioni sul prodotto

Terminal FomFLAT
Power Dissipation Ambient-Max5 W
Avalanche Energy Rating (Eas)16.2 mJ
Package ShapeRECTANGULAR
StatusACTIVE
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY
Transisto Element MaterialSILICON
Drain Current-Max (ID)19 A
ConfigurationSINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Drain-source On Resistance-Max0.0085 ohm
Transisto TypeGENERAL PURPOSE POWER
Pulsed Drain Current-Max (IDM)160 A
Channel TypeN-CHANNEL
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
DS Breakdown Voltage-Min30 V
Transisto ApplicationSWITCHING
Surface MountYes
Mfr Package Description6 X 5 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PMPAK-8
Operating ModeENHANCEMENT
Number of Terminals5
Terminal PositionDUAL
Number of Elements1
Package StyleSMALL OUTLINE


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Prezzo per:  OgniMinimo:  1

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