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TRANSISTOR,GAAS FET INTERNALLY MATCHED, 6GHZ, 125W

Produttoe:
Gamma di prodotti:
RF

Infomazioni sul prodotto

CategoyJFET
Maximum Drain Source Voltage15 V
DescriptionValue
Maximum Continuous Drain Current20000 mA
Maximum Gate Source Voltage-5 V
MountingScrew
Package32-16G1B
Operating Temperature-65 to 175 C
ConfigurationSingle
ManufacturerToshiba


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Prezzo per:  OgniMinimo:  1

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