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RF JFET Transistos Super Lo Noise HJFET

Produttoe:
CEL
Gamma di prodotti:
RF
NE3210S01-T1B

Infomazioni sul prodotto

Factoy Pack Quantità4000
TechnologyGaAs
Product CategoyRF JFET Transistos
Transisto PolarityN-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage- 3 V
Foward Transconductance - Min55 mS
BrandCEL
Id - Continuous Drain Current70 mA
Mounting StyleSMD/SMT
Pd - Power Dissipation165 mW
PackagingReel
Frequency12 GHz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage4 V
Gain13.5 dB
Transisto TypeHFET
Package / CaseSO-1
NF - Noise Figure0.35 dB
Maximum Operating Temperature+ 125 C
RoHSDetails
ManufacturerCEL


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Prezzo per:  OgniMinimo:  1

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