MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET

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Infomazioni sul prodotto

Factoy Pack Quantità	2000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	- 30 V
Transisto Polarity	P-Channel
Minimum Operating Temperature	- 55 C
Channel Mode	Enhancement
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage	20 V
Brand	Microchip Technology
Id - Continuous Drain Current	- 650 mA
Mounting Style	Through Hole
Pd - Power Dissipation	740 mW
Packaging	Reel
Rise Time	15 ns
Product Categoy	MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance	1 Ohms
Package / Case	TO-92-3
Typical Turn-Off Delay Time	25 ns
Fall Time	25 ns
Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Configuration	Single
RoHS	Details
Manufacturer	Microchip

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