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Photodiodes Si APD Enhanced fo 905nm 1130um Area

Peso:
0.001kg

Infomazioni sul prodotto

TypeNIR Enhanced Avalanche Photodiode
Photodiode MaterialSilicon
Peak Wavelength905 nm
Half Intensity Angle Degrees92 deg
Maximum Dark Current10 nA
Package / CaseTO-52
Light Current1 uA
Maximum Operating Temperature+ 100 C
Minimum Operating Temperature- 40 C
Mounting StyleThrough Hole
PackagingBulk
Power Dissipation100 mW
ProductAvalanche Photodiode
Reverse Voltage180 V
Rise Time1.3 ns
Sensitivity60 A/W
Factoy Pack Quantità20


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Prezzo per:  OgniMinimo:  1

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