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Photodiodes Si APD Enhanced fo 905nm.33mm Area

Peso:
0.002kg

Infomazioni sul prodotto

TypeNIR Enhanced Response Avalanche Photodiode
Photodiode MaterialSilicon
Peak Wavelength905 nm
Half Intensity Angle Degrees120 deg
Maximum Dark Current6 nA
Package / CaseTO-5i
Light Current1 uA
Maximum Operating Temperature+ 70 C
Minimum Operating Temperature- 20 C
Mounting StyleThrough Hole
PackagingBulk
Power Dissipation100 mW
ProductAvalanche Photodiode
Reverse Voltage120 V
Rise Time1 ns
Sensitivity60 A/W
Factoy Pack Quantità25


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Prezzo per:  OgniMinimo:  1

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