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X BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET

Codice:
FPD1050
Produttoe:
Gamma di prodotti:
Transistos (BJT)

Infomazioni sul prodotto

StatusACTIVE
Channel TypeN-CHANNEL
Number of Elements1
Mfr Package DescriptionDIE
Terminal FomNO LEAD
Operating ModeDEPLETION
Package StyleUNCASED CHIP
Transisto ApplicationAMPLIFIER
Highest Frequency BandX BAND
Transisto Element MaterialSILICON
FET TechnologyHIGH ELECTRON MOBILITY
Terminal PositionUPPER
Transisto TypeRF POWER
Package ShapeRECTANGULAR
ConfigurationSINGLE
Package Body MaterialUNSPECIFIED
DS Breakdown Voltage-Min10 V
Surface MountYes


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Prezzo per:  OgniMinimo:  1

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