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半導体-ディスクリート
Mまたはe 半導体-ディスクリート
MOSFET 650V, 15A, E-Mode GaN
MOSFET 650V, 15A, E-Mode GaN
実際の商品は画像と異なる場合があります
品番:
GS66504B-E01-TY
メーカー:
GaN Systems
製品の範囲:
Mまたはe 半導体-ディスクリート
データシート:
GS66504B-E01-TY
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商品情報
Mounting Style
SMD/SMT
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
650 V
Transistまたは Polarity
N-Channel
Rds On - Drain-Source Resistance
110 mOhms
Brand
GaN Systems
Id - Continuous Drain Current
15 A
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1.6 V
Packaging
Tray
Product Categまたはy
MOSFET
Qg - Gate Charge
3.3 nC
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
+/- 10 V
Configuration
Single
RoHS
Details
Manufacturer
GaN Systems
可用性の呼び出し
価格:
各
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1
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