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X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET

品番：
FPD200-000SQ
メーカー：
製品の範囲：
Transistまたはs (BJT)

商品情報

Terminal FinishNOT SPECIFIED
Terminal FまたはmNO LEAD
Power Dissipation Ambient-Max0.5000 W
Package ShapeRECTANGULAR
StatusDISCONTINUED
Lead FreeYes
Package Body MaterialUNSPECIFIED
Transistまたは Element MaterialGALLIUM ARSENIDE
EU RoHS CompliantYes
ConfigurationSINGLE
Transistまたは TypeRF SMALL SIGNAL
Channel TypeN-CHANNEL
FET TechnologyHIGH ELECTRON MOBILITY
DS Breakdown Voltage-Min8 V
Transistまたは ApplicationAMPLIFIER
Surface MountYes
Mfr Package DescriptionROHS COMPLIANT, DIE-4
Operating ModeENHANCEMENT
Number of Terminals4
Highest Frequency BandX BAND
Terminal PositionUPPER
Number of Elements1
Package StyleUNCASED CHIP


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価格：  各最小：  1

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