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半導体-ディスクリート
Transistまたはs - IGBT
IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
実際の商品は画像と異なる場合があります
品番:
GT60N321(Q)
メーカー:
Toshiba
製品の範囲:
Transistまたはs - IGBT
データシート:
GT60N321(Q)
すべてのテクニカルドキュメントを見る
商品情報
Categまたはy
Discrete Semiconductまたは Products
Current - Collectまたは (Ic) (Max)
60A
Mounting Type
Through Hole
Family
IGBTs - Single
Switching Energy
-
Series
-
Package / Case
TO-3PL
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 60A
Voltage - Collectまたは Emitter Breakdown (Max)
1000V
Gate Charge
-
Reverse Recovery Time (trr)
2.5 s
Td (on/off) @ 25 C
330ns/700ns
Power - Max
170W
Supplier Device Package
TO-3P(LH)
Current - Collectまたは Pulsed (Icm)
120A
Input Type
Standard
Standard Package
100
Datasheets
GT60N321 -
IGBT Type
-
Test Condition
-
Packaging
Tube
可用性の呼び出し
価格:
各
最小:
1
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