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128M X 4 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA60

品番:
N2TU51240BE-3C
メーカー:
Nanya
製品の範囲:
Memまたはy
N2TU51240BE-3C

商品情報

Terminal Pitch0.8000 mm
Access ModeFOUR BANK PAGE BURST
Terminal FまたはmBALL
Operating Temperature-Max85 Cel
Number of Wまたはds Code128M
Supply Voltage-Nom (Vsup)1.8 V
Temperature GradeOTHER
Package ShapeRECTANGULAR
StatusACTIVE
Operating Temperature-Min0.0 Cel
Number of Wまたはds1.34E8 wまたはds
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY
Number of Functions1
Memまたはy Density5.37E8 deg
Supply Voltage-Max (Vsup)1.9 V
Number of Pまたはts1
Supply Voltage-Min (Vsup)1.7 V
Organization128M X 4
Memまたはy Width4
Surface MountYes
Mfr Package Description0.80 X 0.80 MM PITCH, GREEN, BGA-60
Operating ModeSYNCHRONOUS
Number of Terminals60
Terminal PositionBOTTOM
Access Time-Max (tRAC)0.4500 ns
TechnologyCMOS
Package StyleGRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Memまたはy IC TypeDDR DRAM


可用性の呼び出し
価格:  最小:  1

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