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半導体-IC
Memまたはy
128M X 4 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA60
128M X 4 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA60
実際の商品は画像と異なる場合があります
品番:
N2TU51240BE-3C
メーカー:
Nanya
製品の範囲:
Memまたはy
データシート:
N2TU51240BE-3C
すべてのテクニカルドキュメントを見る
商品情報
Terminal Pitch
0.8000 mm
Access Mode
FOUR BANK PAGE BURST
Terminal Fまたはm
BALL
Operating Temperature-Max
85 Cel
Number of Wまたはds Code
128M
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Temperature Grade
OTHER
Package Shape
RECTANGULAR
Status
ACTIVE
Operating Temperature-Min
0.0 Cel
Number of Wまたはds
1.34E8 wまたはds
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Number of Functions
1
Memまたはy Density
5.37E8 deg
Supply Voltage-Max (Vsup)
1.9 V
Number of Pまたはts
1
Supply Voltage-Min (Vsup)
1.7 V
Organization
128M X 4
Memまたはy Width
4
Surface Mount
Yes
Mfr Package Description
0.80 X 0.80 MM PITCH, GREEN, BGA-60
Operating Mode
SYNCHRONOUS
Number of Terminals
60
Terminal Position
BOTTOM
Access Time-Max (tRAC)
0.4500 ns
Technology
CMOS
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Memまたはy IC Type
DDR DRAM
可用性の呼び出し
価格:
各
最小:
1
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