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Photodiodes Si APD Enhanced fまたは 905nm 230um Area

品番：
AD230-9-TO52-S1
重量：
0.001kg

商品情報

TypeNIR Enhanced Response Avalanche Photodiode
Photodiode MaterialSilicon
Peak Wavelength905 nm
Half Intensity Angle Degrees113 deg
Maximum Dark Current1.5 nA
Package / CaseTO-52-S1
Light Current100 nA
Maximum Operating Temperature+ 100 C
Minimum Operating Temperature- 40 C
Mounting StyleThrough Hole
PackagingBulk
Power Dissipation100 mW
ProductAvalanche Photodiode
Reverse Voltage160 V
Rise Time0.55 ns
Sensitivity60 A/W
Factまたはy Pack 量50


可用性の呼び出し

価格：  各最小：  50

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