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MOSFET 650V 22A E-Mode GaN Preproduction Units

品番：
GS66506T-E01-TY
メーカー：

商品情報

Mounting StyleSMD/SMT
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage650 V
Transistまたは PolarityN-Channel
Rds On - Drain-Source Resistance73 mOhms
Channel ModeEnhancement
BrandGaN Systems
Id - Continuous Drain Current22 A
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage1.6 V
PackagingTray
Product CategまたはyMOSFET
Qg - Gate Charge4.9 nC
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage+/- 10 V
RoHSDetails
ManufacturerGaN Systems


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