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140 A, 40 V, 0.0036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

品番:
AP0103GMT-HF
メーカー:
製品の範囲:
Transistまたはs (BJT)

商品情報

Terminal FまたはmFLAT
Power Dissipation Ambient-Max5 W
Avalanche Energy Rating (Eas)28.8 mJ
Package ShapeRECTANGULAR
StatusACTIVE
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY
Transistまたは Element MaterialSILICON
Drain Current-Max (ID)140 A
ConfigurationSINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Drain-source On Resistance-Max0.0036 ohm
Transistまたは TypeGENERAL PURPOSE POWER
Pulsed Drain Current-Max (IDM)200 A
Channel TypeN-CHANNEL
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
DS Breakdown Voltage-Min40 V
Transistまたは ApplicationSWITCHING
Surface MountYes
Mfr Package Description6 X 5 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PMPAK-8
Operating ModeENHANCEMENT
Number of Terminals8
Terminal PositionDUAL
Number of Elements1
Package StyleSMALL OUTLINE


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価格:  最小:  1

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