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0.35 A, 600 V, 10 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

品番:
APA2N70K
メーカー:
製品の範囲:
Transistまたはs (BJT)

商品情報

Terminal FまたはmGULL WING
Power Dissipation Ambient-Max2.7 W
Avalanche Energy Rating (Eas)0.5000 mJ
Package ShapeRECTANGULAR
StatusACTIVE
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY
Transistまたは Element MaterialSILICON
Drain Current-Max (ID)0.3500 A
ConfigurationSINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Drain-source On Resistance-Max10 ohm
Transistまたは TypeGENERAL PURPOSE POWER
Pulsed Drain Current-Max (IDM)1.4 A
Channel TypeN-CHANNEL
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
DS Breakdown Voltage-Min600 V
Transistまたは ApplicationSWITCHING
Surface MountYes
Case ConnectionDRAIN
Mfr Package DescriptionROHS COMPLIANT PACKAGE-4
Operating ModeENHANCEMENT
Number of Terminals4
Terminal PositionDUAL
Number of Elements1
Package StyleSMALL OUTLINE


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価格:  最小:  1

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