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Transistまたはs - RF FET
Trans RF MOSFET N-CH 170V 20A Box
Trans RF MOSFET N-CH 170V 20A Box
実際の商品は画像と異なる場合があります
品番:
VRF161
メーカー:
Microsemi
製品の範囲:
Transistまたはs - RF FET
データシート:
VRF161
すべてのテクニカルドキュメントを見る
商品情報
Reverse Capacitance (Typ)
20@150V(pF)
Channel Mode
Enhancement
Continuous Drain Current
20(A)
Output Capacitance (Typ)@Vds
180@150V(pF)
Fまたはward Transconductance (Typ)
8.1(S)
Rad Hardened
No
Frequency (Max)
150(MHz)
Channel Type
N
Packaging
Box
Input Capacitance (Typ)@Vds
500@150V(pF)
Operating Temp Range
-65C to 200C
Drain Efficiency (Typ)
50(%)
Power Gain (Typ)@Vds
24(dB)
Drain Source Voltage (Max)
170(V)
Power Dissipation (Max)
350000(mW)
Screening Level
Military
Number of Elements
1
Output Power (Max)
200
可用性の呼び出し
価格:
各
最小:
1
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