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Photodiodes High Speed Epitaxial .5x.5mm Active Area

重量：
0.001kg

商品情報

Photodiode MaterialSilicon
Peak Wavelength850 nm
Half Intensity Angle Degrees119 deg
Maximum Dark Current0.3 nA
Package / CaseTO-52-S1
Light Current10 uA
Maximum Operating Temperature+ 100 C
Minimum Operating Temperature- 40 C
Mounting StyleThrough Hole
PackagingBulk
ProductPIN Photodiode
Reverse Voltage50 V
Rise Time0.4 ns
Sensitivity0.52 A/W
Factまたはy Pack 量50


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価格：  各最小：  1

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