Transistまたはs RF GaAs .5-3GHz 10W 12Volts pHEMT

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商品情報

Fまたはward Transconductance gFS (Max / Min)	4 S
Gate-Source Breakdown Voltage	- 8 V
Continuous Drain Current	3 A
Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Power Dissipation	10 W
Packaging	Tray

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