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Photodiodes Si APD Enhanced fまたは 905nm 1130um Area

重量：
0.001kg

商品情報

TypeNIR Enhanced Avalanche Photodiode
Photodiode MaterialSilicon
Peak Wavelength905 nm
Half Intensity Angle Degrees92 deg
Maximum Dark Current10 nA
Package / CaseTO-52
Light Current1 uA
Maximum Operating Temperature+ 100 C
Minimum Operating Temperature- 40 C
Mounting StyleThrough Hole
PackagingBulk
Power Dissipation100 mW
ProductAvalanche Photodiode
Reverse Voltage180 V
Rise Time1.3 ns
Sensitivity60 A/W
Factまたはy Pack 量20


可用性の呼び出し

価格：  各最小：  1

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