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半導体-ディスクリート
Transistまたはs (BJT)
0.2 A, 600 V, 25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-243AA
0.2 A, 600 V, 25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-243AA
実際の商品は画像と異なる場合があります
品番:
VN2460N8
メーカー:
Supertex
製品の範囲:
Transistまたはs (BJT)
データシート:
VN2460N8
すべてのテクニカルドキュメントを見る
商品情報
Terminal Finish
TIN LEAD
Terminal Fまたはm
FLAT
Operating Temperature-Max
150 Cel
Qualification Status
COMMERCIAL
JESD-609 Code
e0
Package Shape
RECTANGULAR
Additional Feature
LOW THRESHOLD
Status
Discontinued
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Transistまたは Element Material
SILICON
Drain Current-Max (ID)
0.2000 A
Sub Categまたはy
FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Drain-source On Resistance-Max
25 ohm
Moisture Sensitivity Level
NOT SPECIFIED
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
0.6000 A
DS Breakdown Voltage-Min
600 V
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Transistまたは Application
SWITCHING
Surface Mount
YES
JEDEC-95 Code
TO-243AA
Case Connection
DRAIN
Mfr Package Description
SAME AS SOT-89, 3 PIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Number of Terminals
3
REACH Compliant
Yes
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Power Dissipation-Max (Abs)
1.6 W
JESD-30 Code
R-PSSO-F3
Terminal Position
SINGLE
Number of Elements
1
Package Style
SMALL OUTLINE
可用性の呼び出し
価格:
各
最小:
1
見積もり
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