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Transistまたはs - RF FET
Trans RF MOSFET N-CH 20V 0.03A 3-Pin 2-4E1D
Trans RF MOSFET N-CH 20V 0.03A 3-Pin 2-4E1D
実際の商品は画像と異なる場合があります
品番:
2SK241-Y(F)
メーカー:
Toshiba
製品の範囲:
Transistまたはs - RF FET
データシート:
2SK241-Y(F)
すべてのテクニカルドキュメントを見る
商品情報
Reverse Capacitance (Typ)
0.035@10V(pF)
Channel Mode
Depletion
Noise Figure (Max)
3(dB)
Continuous Drain Current
0.03(A)
Mounting
Through Hole
Fまたはward Transconductance (Typ)
0.01(S)
Rad Hardened
No
Channel Type
N
Input Capacitance (Typ)@Vds
3@10V(pF)
Operating Temp Range
-55C to 125C
Drain Source Voltage (Max)
20(V)
Power Gain (Typ)@Vds
28(dB)
Screening Level
Military
Application
VHF
Power Dissipation (Max)
200(mW)
Pin Count
3
Number of Elements
1
可用性の呼び出し
価格:
各
最小:
1
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