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半導体-ディスクリート
Transistまたはs - RF FET
Trans RF MOSFET N-CH 12.5V 0.03A 4-Pin USQ T/R
Trans RF MOSFET N-CH 12.5V 0.03A 4-Pin USQ T/R
実際の商品は画像と異なる場合があります
品番:
3SK293TE85LF
メーカー:
Toshiba
製品の範囲:
Transistまたはs - RF FET
データシート:
3SK293TE85LF
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商品情報
Polarity
N
Reverse Capacitance (Typ)
16@6V(pF)
Noise Figure (Max)
2.5(dB)
Continuous Drain Current
0.03(A)
Mounting
Surface Mount
Application
UHF
Screening Level
Military
Type
RF MOSFET
Gate-Source Voltage (Max)
8 V
Input Capacitance (Typ)@Vds
2@6V(pF)
Package Type
USQ
Drain Source Voltage (Max)
12.5(V)
Channel Type
N
Operating Temp Range
-55C to 125C
Pin Count
4
Channel Mode
Enhancement
Drain-Source On-Volt
12.5 V
Packaging
Tape and Reel
Power Dissipation
0.1 W
Rad Hardened
No
Power Gain (Typ)@Vds
22.5@6V(dB)
Power Dissipation (Max)
100(mW)
Number of Elements
1
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価格:
各
最小:
1
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