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半導体-ディスクリート
Transistまたはs - FETs
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363
実際の商品は画像と異なる場合があります
品番:
SI1922EDH-T1-GE3
メーカー:
Vishay
製品の範囲:
Transistまたはs - FETs
データシート:
SI1922EDH-T1-GE3
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商品情報
Categまたはy
Discrete Semiconductまたは Products
FET Feature
Logic Level Gate
Online Catalog
N-Channel Logic Level Gate FETs
Product Photos
SOT-363 PKG
Family
FETs - Arrays
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250 A
Input Capacitance (Ciss) @ Vds
-
Series
TrenchFET
Standard Package
1
Supplier Device Package
SC-70-6 (SOT-363)
Datasheets
Si1922EDH
Rds On (Max) @ Id, Vgs
198 mOhm @ 1A, 4.5V
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Packaging
Cut Tape (CT)
Power - Max
1.25W
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type
Surface Mount
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 C
1.3A
Other Names
SI1922EDH-T1-GE3CT
Gate Charge (Qg) @ Vgs
2.5nC @ 8V
可用性の呼び出し
価格:
各
最小:
1
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