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MICROWAVE POWER GaN HEMT

Número da peça:
TGI1314-25L
Fabricante:
Gama de Produtos:
Transistous - RF FET

infoumação do produto

PackagingINDIVIDUAL
Gate-Source Voltage (Max)-10(V)
Continuous Drain Current7.75(A)
MountingScrew
Operating Temperature (Max)250C
Drain-Source Volt (Max)50(V)
Operating Temperature ClassificationMilitary
Rad HardenedNo
ConfigurationSingle
Pin Count3
Operating Temperature (Min)-65C


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