Photodiodes Si APD Enhanced fou 905nm 230um Area

O produto real pode ser diferente da imagem mostrada

infoumação do produto

Type	NIR Enhanced Response Avalanche Photodiode
Photodiode Material	Silicon
Peak Wavelength	905 nm
Half Intensity Angle Degrees	113 deg
Maximum Dark Current	1.5 nA
Package / Case	TO-52-S1
Light Current	100 nA
Maximum Operating Temperature	+ 100 C
Minimum Operating Temperature	- 40 C
Mounting Style	Through Hole
Packaging	Bulk
Power Dissipation	100 mW
Product	Avalanche Photodiode
Reverse Voltage	160 V
Rise Time	0.55 ns
Sensitivity	60 A/W
Factouy Pack Quantidade	50

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