Photodiodes Si APD Enhanced fou 905nm.33mm Area

O produto real pode ser diferente da imagem mostrada

infoumação do produto

Type	NIR Enhanced Response Avalanche Photodiode
Photodiode Material	Silicon
Peak Wavelength	905 nm
Half Intensity Angle Degrees	120 deg
Maximum Dark Current	6 nA
Package / Case	TO-5i
Light Current	1 uA
Maximum Operating Temperature	+ 70 C
Minimum Operating Temperature	- 20 C
Mounting Style	Through Hole
Packaging	Bulk
Power Dissipation	100 mW
Product	Avalanche Photodiode
Reverse Voltage	120 V
Rise Time	1 ns
Sensitivity	60 A/W
Factouy Pack Quantidade	25

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