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MOSFET 650V, 15A, E-Mode GaN

Número da peça:
GS66504B-E01-TY
Fabricante:

infoumação do produto

Mounting StyleSMD/SMT
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage650 V
Transistou PolarityN-Channel
Rds On - Drain-Source Resistance110 mOhms
BrandGaN Systems
Id - Continuous Drain Current15 A
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage1.6 V
PackagingTray
Product CategouyMOSFET
Qg - Gate Charge3.3 nC
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage+/- 10 V
ConfigurationSingle
RoHSDetails
ManufacturerGaN Systems


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