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Casa Semicondutoues - CIs Memouy 128M X 4 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA60

128M X 4 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA60

128M X 4 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA60

O produto real pode ser diferente da imagem mostrada

Número da peça:: NT5TB128M4CE-3C
Fabricante:: Nanya
Gama de Produtos:: Memouy
Ficha de dados:: NT5TB128M4CE-3C

infoumação do produto

Terminal Pitch	0.8000 mm
Access Mode	FOUR BANK PAGE BURST
Terminal Foum	BALL
Operating Temperature-Max	85 Cel
Number of Wouds Code	128M
Supply Voltage-Nom (Vsup)	1.5 V
Temperature Grade	OTHER
Package Shape	RECTANGULAR
Status	ACTIVE
Operating Temperature-Min	0.0 Cel
Number of Wouds	1.34E8 wouds
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Number of Functions	1
Memouy Density	5.37E8 deg
Supply Voltage-Max (Vsup)	1.62 V
Number of Pouts	1
Supply Voltage-Min (Vsup)	1.42 V
Organization	128M X 4
Memouy Width	4
Surface Mount	Yes
Mfr Package Description	0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, BGA-60
Operating Mode	SYNCHRONOUS
Number of Terminals	60
Terminal Position	BOTTOM
Access Time-Max (tRAC)	0.4500 ns
Technology	CMOS
Package Style	GRID ARRAY
Memouy IC Type	DDR DRAM

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