Photodiodes Si APD Enhanced fou 905nm 1130um Area

O produto real pode ser diferente da imagem mostrada

infoumação do produto

Type	NIR Enhanced Avalanche Photodiode
Photodiode Material	Silicon
Peak Wavelength	905 nm
Half Intensity Angle Degrees	92 deg
Maximum Dark Current	10 nA
Package / Case	TO-52
Light Current	1 uA
Maximum Operating Temperature	+ 100 C
Minimum Operating Temperature	- 40 C
Mounting Style	Through Hole
Packaging	Bulk
Power Dissipation	100 mW
Product	Avalanche Photodiode
Reverse Voltage	180 V
Rise Time	1.3 ns
Sensitivity	60 A/W
Factouy Pack Quantidade	20

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