Ваша корзина пуста

40 V, 0.0115 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

Часть №:
AP0904GYT-HF
Производитель:
Ассортимент продукции:
Transistилиs (BJT)

Информация о товаре

Terminal FилиmFLAT
Power Dissipation Ambient-Max3.57 W
Package ShapeSQUARE
StatusACTIVE
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY
Transistили Element MaterialSILICON
ConfigurationSINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Drain-source On Resistance-Max0.0115 ohm
Transistили TypeGENERAL PURPOSE POWER
Pulsed Drain Current-Max (IDM)50 A
Channel TypeN-CHANNEL
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
DS Breakdown Voltage-Min40 V
Transistили ApplicationSWITCHING
Surface MountYes
Case ConnectionDRAIN
Mfr Package Description3 X 3 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PMPAK-8
Operating ModeENHANCEMENT
Number of Terminals5
Terminal PositionDUAL
Number of Elements1
Package StyleSMALL OUTLINE


Позвоните для доступности

Цена для:  каждыйМинимум:  1

Целевая цена

Предложите приемлемую цену, и мы можем вас порадовать.Ваша целевая цена

Техническая поддержка

Техническая поддержка

Отзывы клиентов

Написать отзыв

Клиент Q & A Обмен

Задайте вопрос