Ваша корзина пуста

46 A, 1200 V, 0.11 ohm, N-CHANNEL, SiC, POWER, MOSFET

Часть №:
CPMF-1200-S080B
Производитель:
Ассортимент продукции:
Transistилиs (BJT)

Информация о товаре

Terminal FилиmNO LEAD
Avalanche Energy Rating (Eas)2200 mJ
Package ShapeSQUARE
StatusACTIVE
Package Body MaterialUNSPECIFIED
Transistили Element MaterialSILICON CARBIDE
Drain Current-Max (ID)46 A
ConfigurationSINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Drain-source On Resistance-Max0.1100 ohm
Transistили TypeGENERAL PURPOSE POWER
Pulsed Drain Current-Max (IDM)85 A
Channel TypeN-CHANNEL
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
DS Breakdown Voltage-Min1200 V
Transistили ApplicationSWITCHING
Surface MountYes
Mfr Package Description4.08 X 4.08 MM, ROHS COMPLIANT, DIE-3
Operating ModeENHANCEMENT
Number of Terminals3
Terminal PositionUPPER
Number of Elements1
Package StyleUNCASED CHIP


Позвоните для доступности

Цена для:  каждыйМинимум:  1

Целевая цена

Предложите приемлемую цену, и мы можем вас порадовать.Ваша целевая цена

Техническая поддержка

Техническая поддержка

Отзывы клиентов

Написать отзыв

Клиент Q & A Обмен

Задайте вопрос