Ваша корзина пуста

X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET

Часть №:
FPD200-000
Производитель:
Ассортимент продукции:
Transistилиs (BJT)

Информация о товаре

Terminal FinishNOT SPECIFIED
Terminal FилиmNO LEAD
Power Dissipation Ambient-Max0.5000 W
Package ShapeRECTANGULAR
StatusDISCONTINUED
Lead FreeYes
Package Body MaterialUNSPECIFIED
Transistили Element MaterialGALLIUM ARSENIDE
EU RoHS CompliantYes
ConfigurationSINGLE
Transistили TypeRF SMALL SIGNAL
Channel TypeN-CHANNEL
FET TechnologyHIGH ELECTRON MOBILITY
DS Breakdown Voltage-Min8 V
Transistили ApplicationAMPLIFIER
Surface MountYes
Mfr Package DescriptionROHS COMPLIANT, DIE-4
Operating ModeENHANCEMENT
Number of Terminals4
Highest Frequency BandX BAND
Terminal PositionUPPER
Number of Elements1
Package StyleUNCASED CHIP


Позвоните для доступности

Цена для:  каждыйМинимум:  1

Целевая цена

Предложите приемлемую цену, и мы можем вас порадовать.Ваша целевая цена

Техническая поддержка

Техническая поддержка

Отзывы клиентов

Написать отзыв

Клиент Q & A Обмен

Задайте вопрос