Ваша корзина пуста

1.1 A, 250 V, 3.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

Часть №:
DN2625DK6-G
Производитель:
Ассортимент продукции:
Transistилиs (BJT)

Информация о товаре

Terminal FinishMATTE TIN
Terminal FилиmNO LEAD
Package ShapeRECTANGULAR
StatusACTIVE
Lead FreeYes
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY
Transistили Element MaterialSILICON
Drain Current-Max (ID)1.1 A
EU RoHS CompliantYes
ConfigurationSINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Drain-source On Resistance-Max3.5 ohm
Transistили TypeGENERAL PURPOSE POWER
Pulsed Drain Current-Max (IDM)3.3 A
Channel TypeN-CHANNEL
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
DS Breakdown Voltage-Min250 V
Transistили ApplicationSWITCHING
Surface MountYes
Case ConnectionDRAIN
Mfr Package Description5 X 5 MM, 0.90 MM HEIGHT, GREEN, QFN-8
Operating ModeDEPLETION
Number of Terminals8
Terminal PositionDUAL
Number of Elements1
Package StyleSMALL OUTLINE


Позвоните для доступности

Цена для:  каждыйМинимум:  1

Целевая цена

Предложите приемлемую цену, и мы можем вас порадовать.Ваша целевая цена

Техническая поддержка

Техническая поддержка

Отзывы клиентов

Написать отзыв

Клиент Q & A Обмен

Задайте вопрос