Ваша корзина пуста

MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3

Часть №:
APTM100H46FT3G
Производитель:
Ассортимент продукции:
FETs Modules

Информация о товаре

CategилиyDiscrete Semiconductили Products
FET FeatureStandard
Mounting TypeChassis Mount
FamilyFETs - Modules
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 2.5mA
SeriesPOWER MOS 8
Package / CaseSP3
PCN Design/SpecificationSP3F Plastic Frame Update 16/Jul/2015
DatasheetsAPTM100H46FT3G
Rds On (Max) @ Id, Vgs552 mOhm @ 16A, 10V
FET Type4 N-Channel (H-Bridge)
PackagingBulk
Power - Max357W
Standard Package1
Supplier Device PackageSP3
Drain to Source Voltage (Vdss)1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 C19A
Input Capacitance (Ciss) @ Vds6800pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs260nC @ 10V


Позвоните для доступности

Цена для:  каждыйМинимум:  1

Целевая цена

Предложите приемлемую цену, и мы можем вас порадовать.Ваша целевая цена

Техническая поддержка

Техническая поддержка

Отзывы клиентов

Написать отзыв

Клиент Q & A Обмен

Задайте вопрос