Ваша корзина пуста

MOSFET 650V 22A E-Mode GaN Preproduction Units

Часть №:
GS66506T-E01-TY
Производитель:
Ассортимент продукции:
Mилиe Полупроводники - Дискреты

Информация о товаре

Mounting StyleSMD/SMT
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage650 V
Transistили PolarityN-Channel
Rds On - Drain-Source Resistance73 mOhms
Channel ModeEnhancement
BrandGaN Systems
Id - Continuous Drain Current22 A
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage1.6 V
PackagingTray
Product CategилиyMOSFET
Qg - Gate Charge4.9 nC
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage+/- 10 V
RoHSDetails
ManufacturerGaN Systems


Позвоните для доступности

Цена для:  каждыйМинимум:  1

Целевая цена

Предложите приемлемую цену, и мы можем вас порадовать.Ваша целевая цена

Техническая поддержка

Техническая поддержка

Отзывы клиентов

Написать отзыв

Клиент Q & A Обмен

Задайте вопрос