Ваша корзина пуста

8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

Часть №:
YTAF840
Производитель:
Ассортимент продукции:
Transistилиs (BJT)

Информация о товаре

Terminal FinishTIN LEAD
Terminal FилиmTHROUGH-HOLE
Avalanche Energy Rating (Eas)312 mJ
Package ShapeRECTANGULAR
StatusACTIVE
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY
Transistили Element MaterialSILICON
Drain Current-Max (ID)8 A
ConfigurationSINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Drain-source On Resistance-Max0.8500 ohm
Transistили TypeGENERAL PURPOSE POWER
Pulsed Drain Current-Max (IDM)32 A
Channel TypeN-CHANNEL
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
DS Breakdown Voltage-Min500 V
Transistили ApplicationSWITCHING
Case ConnectionISOLATED
Mfr Package Description2-10R1B, SC-67, 3 PIN
Operating ModeENHANCEMENT
Number of Terminals3
Terminal PositionSINGLE
Number of Elements1
Package StyleFLANGE MOUNT


Позвоните для доступности

Цена для:  каждыйМинимум:  1

Целевая цена

Предложите приемлемую цену, и мы можем вас порадовать.Ваша целевая цена

Техническая поддержка

Техническая поддержка

Отзывы клиентов

Написать отзыв

Клиент Q & A Обмен

Задайте вопрос